制造商编号 | DMG6602SVT-7 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMG6602SVT-7 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
系列 | DMG | |
典型接通延迟时间 | 3 ns | |
上升时间 | 5 ns | |
栅极电压Vgs | 20V | |
通道数量 | 2 Channel | |
Qg-栅极电荷 | 9 nC | |
典型关闭延迟时间 | 13 ns | |
正向跨导-最小值 | 4 S | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@3.1A,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 400pF @ 15V | |
Pd-功率耗散(Max) | 840mW | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TSOT-23 | |
FET类型 | N+P-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 3.4A,2.8A |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
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交期: 3天-15天 |
起订量:80 | 倍数:1 |
生产日期 : 23+
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,200 |
NX138AKR | 30,000 |
PMV20ENR | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TSOT-23 |
¥0.6875
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14,418 | 当前型号 | |||||||||||
AO6601 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 |
¥0.6391
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3,994 | 对比 | |||||||||||
FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SuperSOT™-6 SuperSOT |
¥1.705
|
144 | 对比 | |||||||||||
FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SuperSOT™-6 SuperSOT |
¥0.6829
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1 | 对比 | |||||||||||
FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SuperSOT™-6 SuperSOT |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
AO6602L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |