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小信号MOSFET   SOT-23

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制造商编号 BSS123TA
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-BSS123TA
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 20pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6Ω@100mA,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 0.17A
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库存 :  5,184

价格梯度 单价(含税)
90+ ¥0.5984
200+ ¥0.4563
1,500+ ¥0.3965

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥0.351
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:90 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  2年内

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
LNTR4003NLT1G 42,100
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NX138AKR 30,000
RV1C002UNT2CL 8,000
L2N7002LT1G 3,550

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS123TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
5,184 当前型号
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BSS123_TO-236AB

¥0.243 

阶梯数 价格
210: ¥0.243
1,500: ¥0.21
3,000: ¥0.186
27,492 对比
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB

¥0.4227 

阶梯数 价格
10: ¥0.4227
100: ¥0.3131
1,000: ¥0.2427
1,500: ¥0.1989
3,000: ¥0.176
15,094 对比
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BSS123NH6327XTSA1_2.9mm

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.507
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.3887
3,999 对比
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 3,000 对比
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
351 对比
+1

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