| 制造商编号 | BSS123-7-F |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-BSS123-7-F |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
工作温度：-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳：SOT-23 连续漏极电流Id：170mA Pd-功率耗散(Max)：300mW Rds On(Max)@Id,Vgs：6Ω@170mA,10V
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 1mA | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 60pF @ 25V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| 连续漏极电流Id | 170mA | |
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6Ω@170mA,10V | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 上升时间 | 8ns | |
| 下降时间 | 8ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 13ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8ns | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 0.08S | |
| 系列 | BSS123 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| FET类型 | N-Channel |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LNTR4003NLT1G | 42,100 |
| 2N7002NXAKR | 32,000 |
| NX138AKR | 30,000 |
| RV1C002UNT2CL | 8,000 |
| L2N7002LT1G | 3,550 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 2.9mm |
￥0.6754
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24,311 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSS123_TO-236AB |
￥0.243
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27,492 | 对比 | ||||||||||||
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BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSS123_TO-236AB |
￥0.4227
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15,094 | 对比 | ||||||||||||
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BSS123N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSS123NH6327XTSA1_2.9mm |
￥0.6655
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3,999 | 对比 | ||||||||||||
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BSS123N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSS123NH6327XTSA1_2.9mm |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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PMV213SN,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
PMV213SN_SOT23 |
￥1.628
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351 | 对比 |
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