| 制造商编号 | DRDNB16W-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DRDNB16W-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
双极晶体管 - 预偏置
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 系列 | DRDN | |
| 高度 | 1 mm | |
| 长度 | 2.2 mm | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 配置 | Single | |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 | |
| 峰值直流集电极电流 | 600 mA | |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V | |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 18 V | |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms | |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | 1k | |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 10k | |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 56 @ 50mA,5V | |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA,50mA | |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | |
| 频率-跃迁 | 200MHz | |
| 功率 | 1/5W | |
| 封装/外壳 | SOT-363 | |
| FET类型 | NPN | |
| 集电极最大允许电流Ic | 600mA | |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：50 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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| S-LDTD114ELT1G | 21,000 |
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