制造商编号 | SUP85N10-10-E3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-SUP85N10-10-E3 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Single N-Channel 20 V 0.0014 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
连续漏极电流Id | 85A(Tc) | |
FET类型 | N-Channel | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.5 mOhms @ 30A,10V | |
Vgs(th) | 3V @ 250uA | |
Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),250W(Tc) | |
封装/外壳 | TO-220-3 | |
工作温度 | -55℃~175℃ | |
漏源极电压Vds | 100V |
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高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SUP85N10-10-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
85A(Tc) N-Channel 10.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220-3 -55℃~175℃ 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFB4410ZGPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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TK40E10N1,S1X | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 126W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 100 V 90A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOT418L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 25V 105A 333W 10mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFB4410ZG | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
9mΩ 100V TO-220 N-Channel 20V 97A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOT418L_001 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
9.5A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±25V 10 mΩ @ 20A,10V TO-220 2.1W(Ta),333W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |