| 制造商编号 | SI2304BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-SI2304BDS-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 2.6A(Ta) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70 mOhms @ 2.5A,10V | |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | |
| Pd-功率耗散(Max) | 750mW(Ta) | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ | |
| 漏源极电压Vds | 30V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 50 + | ￥1.122 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：50 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择，响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能，具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002LT1G | 30,000 |
| PMZB200UNEYL | 15,500 |
| S-L2N7002SLT1G | 12,000 |
| 2N7002HR | 12,000 |
| LMN2500N3T5G | 10,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI2304BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.6A(Ta) N-Channel 70 mOhms @ 2.5A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V |
￥1.122
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199 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 85mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 28V 3.8A |
￥0.5984
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26,861 | 对比 | ||||||||||
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AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
￥0.6622
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23,404 | 对比 | ||||||||||
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AO3424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃ |
￥0.6391
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2,187 | 对比 | ||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||||
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RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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