制造商编号 | SI4122DY-T1-GE3 |
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制 造 商 | Vishay(威世) |
唯样编号 | A36-SI4122DY-T1-GE3 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
连续漏极电流Id | 27.2A(Tc) | |
FET类型 | N-Channel | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5 mOhms @ 15A,10V | |
Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | |
Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),6W(Tc) | |
封装/外壳 | 8-SOIC | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
漏源极电压Vds | 40V |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:6 | 倍数:1 |
生产日期 : 24+
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
¥9.152
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19,917 | 当前型号 | |||||||||||||||
RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
¥70.172
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1,756 | 对比 | |||||||||||||||
RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
暂无价格 | 100 | 对比 | |||||||||||||||
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
¥10.1972
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100 | 对比 | |||||||||||||||
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
暂无价格 | 100 | 对比 | |||||||||||||||
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
¥11.6427
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64 | 对比 |