| 制造商编号 | PSMN047-100NSE |
|---|---|
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PSMN047-100NSE |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
N-channel 100 V, 49.7 mOhm standard level MOSFET in
DFN2020 package, designed specifically for high power PoE
applications 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN2020 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：0
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
请咨询客服
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高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3401A | 54,000 |
| NCE60P25K | 45,000 |
| PJD50N10AL-AU_L2_000A1 | 18,000 |
| LN8320DT1AG | 16,000 |
| JMSH1008AGQ-13 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PSMN047-100NSE | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.4A(Ta),12A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 4A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.4A(Ta),12A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 4A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥2.9218
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8,890 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥3.2006
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1,340 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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