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通用MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

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制造商编号 FDS86140
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A-FDS86140
供货
无铅情况/RoHs
描述
连续漏极电流Id:11.2A(Ta) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.8m Ohms@11.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
系列 PowerTrench®
连续漏极电流Id 11.2A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2580pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.8m Ohms@11.2A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳 SOIC
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 11.2A
封装/外壳 8-SOIC
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8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

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