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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | SuperFET™ | |
| 连续漏极电流Id | 16A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2250pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 37.9W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 260m Ohms@8A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | |
| 连续漏极电流Id | 16A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 16 A | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 260 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 封装/外壳 | TO-220F | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 37.9 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 系列 | SuperFET | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 1730 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 165 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 42 ns | |
| 封装/外壳 | 10.1*4.7*9.4mm | |
| 封装/外壳 | TO-220F-3 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：50
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PXN012-60QLJ | 21,000 |
| CQD50N06 | 20,000 |
| PMLL4148L,115 | 20,000 |
| 100N03A | 12,500 |
| LN2308LT1G | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCPF16N60 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 TO-220F 10.1mm 10.1*4.7*9.4mm TO-220F-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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R6014YNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM |
￥25.2305
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88 | 对比 | ||||||||
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R6014YNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||
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R6014YNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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