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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 连续漏极电流Id | 3.4A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 208pF @ 50V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@3.4A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
| 封装/外壳 | SOIC | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 3.4A | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 621,000 |
| PJA3430_R1_00001 | 60,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 32,270 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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FDS86106 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.4A(Ta) ±20V 5W(Ta) 105mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 3.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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AO4442 | AOS | 功率MOSFET |
3.1A(Ta) N-Channel ±25V 130 mΩ @ 3.1A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 75V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||||
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AO4442L | AOS | 功率MOSFET |
3.1A(Ta) N-Channel ±25V 130 mΩ @ 3.1A,10V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 75V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃ |
￥25.403
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2,100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃ |
￥19.6519
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97 | 对比 |
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