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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | HiPerFET™,Polar™ | |
| 连续漏极电流Id | 7.3A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1135pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 89W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 620m Ohms@3.6A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 封装/外壳 | DPAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 7.3A | |
| 封装/外壳 | TO-252AA |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCD620N60ZF | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDD5N50FTM-WS | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
NA |
暂无价格 | 50,000 | 对比 | ||||||||||
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STD10NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||
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STD10NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A |
￥4.697
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2,671 | 对比 | ||||||||||
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IPD60R800CEAUMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD60R800CE_N-Channel 600V 8.4A PG-TO252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AOD7S65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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