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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
系列 | SuperFET® II | |
连续漏极电流Id | 10.2A(Tc) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1770pF @ 25V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
Pd-功率耗散(Max) | 106W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 380m Ohms@5A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
封装/外壳 | DPAK | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 600V | |
连续漏极电流Id | 10.2A | |
封装/外壳 | TO-252AA |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FCD380N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
IPD60R380C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD60R380C6ATMA1_6.5mm |
¥8.6527
|
579 | 对比 | |||||||||
AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥8.052
|
57 | 对比 | |||||||||
STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
MSJU11N65-TP | MCC | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IPD65R380E6ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD65R380E6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |