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功率MOSFET   TO-220AB

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制造商编号 IRF540NPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A3-IRF540NPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
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商品目录 功率MOSFET
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 33A
漏源极电压Vds 100V
封装/外壳 TO-220AB
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商品简介

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MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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库存 :  30,000 生产周期:14W

价格梯度 单价(含税)

暂无价格

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