| 制造商编号 | IRFR120ZTRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A3-IRFR120ZTRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
IRFR120Z Series 100 V 8.7 A 190 mOhm SMT HEXFET® Power MOSFET - TO-252AA
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-253-2 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 35W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ@5.2A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 10V | |
| 连续漏极电流Id | 8.7A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR120ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-253-2 |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
￥6.2382
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18,115 | 对比 | ||||||||||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7275-100A_SOT428 |
￥5.6376
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0 | 对比 |
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