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通用MOSFET   HUML2020L8

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制造商编号 RF4E070BNTR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3x-RF4E070BNTR
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
FET类型 N-Channel
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 410pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 28.6mΩ@7A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 HUML2020L8
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 7A
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库存 :  12,000 生产周期:14W

价格梯度 单价(含税)

暂无价格

最小包:3,000 
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