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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| FET类型 | 2N-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 66m Ohms@3.4A,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.2nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 600mW | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 6-MicroFET(1.6x1.6) | |
| 封装/外壳 | MicroFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 3.8A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PXN012-60QLJ | 21,000 |
| CQD50N06 | 20,000 |
| PMLL4148L,115 | 20,000 |
| 100N03A | 12,500 |
| LN2308LT1G | 12,000 |
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