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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | HSOP8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 80V | |
| 连续漏极电流Id | ±135A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3m Ohms | |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRF7493 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ 80V SO-8 N-Channel 20V 5.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7854 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
13.4mΩ 80V SO-8 N-Channel 20V 7.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIDR680ADP-T1-RE3 | Vishay | 功率MOSFET |
30.7A(Ta),137A(Tc) N-Channel 2.88 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),125W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 80V |
暂无价格 | 21,000 | 对比 | |||||||||||||
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SIR680ADP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
30.7A(Ta),125A(Tc) N-Channel 2.88 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 80V |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
￥9.647
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7,599 | 对比 |
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