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功率MOSFET   HSMT-8

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制造商编号 RQ3E150GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RQ3E150GNTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:15A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:6.1mΩ@15A,10V 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:±20V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 15A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 15.3nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.1mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 5.8ns
下降时间 7.8ns
典型关闭延迟时间 34.4ns
典型接通延迟时间 11.6ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 13.5S
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  1,440

价格梯度 单价(含税)
80+ ¥1.9261
100+ ¥1.7153
500+ ¥1.7153
1,000+ ¥1.7057
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:80 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.9261 

阶梯数 价格
80: ¥1.9261
100: ¥1.7153
500: ¥1.7153
1,000: ¥1.7057
1,440 当前型号
AON6368 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
AON6596 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
2,859 对比
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暂无价格 0 对比
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