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功率MOSFET   HSMT-8

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制造商编号 RQ3E180GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:18A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:4.3mΩ@18A,10V 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:±20V
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 18A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 22.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 6.9ns
下降时间 10.2ns
典型关闭延迟时间 56.8ns
典型接通延迟时间 16.5ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 17S
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  2,775

价格梯度 单价(含税)
60+ ¥2.5681
100+ ¥2.2902
500+ ¥2.2902
1,000+ ¥2.2807
2,000+ ¥2.2711
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:60 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
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NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 当前型号
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¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
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