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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
连续漏极电流Id | 10A(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,4.5V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 55nC @ 4.5V | |
栅极电压Vgs | -8V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5500pF @ 10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 26mΩ@5A,4.5V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | 8-PowerUDFN |
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高精度电流检测,具备-14V~+80V的宽共模电压范围,可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
¥5.0691
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2,545 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SSM6J503NU,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2) 150°C(TJ) 20 V 6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J424TU,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) UF6 150°C 20 V 6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J501NU,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2) 150°C(TJ) 20 V 10A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J502NU,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2) 150°C(TJ) 20 V 6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J501NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 |