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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 8A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Qg-栅极电荷 | 5.8nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.6mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | |
| 上升时间 | 3.6ns | |
| 下降时间 | 2.4ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 17.3ns | |
| 典型接通延迟时间 | 6.9ns | |
| 封装/外壳 | DFN2020-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 正向跨导 - 最小值 | 5S | |
| 系列 | RF4E080GN | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：90 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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;;6.jpg)
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020-8 |
￥1.7057
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2,647 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
U-DFN3030-8 |
￥1.628
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5,500 | 对比 | ||||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
PMEG4010CEA_SOD-323 |
￥0.3677
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2 | 对比 | ||||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
PMEG4010CEA_SOD-323 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SSM6K514NU,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
6-UDFNB(2x2) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
74LVCH2T45GT_SOT833 |
￥1.3784
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0 | 对比 |
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