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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.34mΩ@90A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 连续漏极电流Id | 120A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 156,000 |
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| IPB017N10N5 | 26,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥14.7378
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1,604 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥3.41
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29,589 | 对比 | ||||||||||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V |
￥3.619
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18,424 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 40V |
￥8.151
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18,055 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V |
￥3.498
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9,432 | 对比 | ||||||||||||||
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 10A,10V 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 40V |
￥3.388
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1,869 | 对比 |
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