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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.6mΩ@9.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：30 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC |
￥5.9795
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2,420 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IRF8707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
￥1.54
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20,234 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥0.7975
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5,465 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC |
￥2.3861
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC |
￥2.3861
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2,152 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF8707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
￥1.0798
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33 | 对比 |
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