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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 30A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 1mA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 20W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.7mΩ@15A,4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ | |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
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承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerVDFN |
暂无价格 | 25 | 当前型号 | ||||||
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DMP2008UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥2.167
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975 | 对比 | ||||||
|
FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerWDFN MLP 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP26M7UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerDI |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerWDFN MLP 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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|
DMP2008UFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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