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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2100pF @ 25V | |
| 封装/外壳 | CPT3 | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 20A(Tc) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | |
| 功率耗散(最大值) | 850mW(Ta),20W(Tc) | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 55nC @ 10V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 46 毫欧 @ 20A,10V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产年份 : 2020 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RSD201N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥10.694
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120 | 当前型号 | ||||||||||
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FDD3860 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.2A(Ta) ±20V 3.1W(Ta),69W(Tc) 36m Ohms@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 100V 6.2A TO-252AA |
暂无价格 | 67,500 | 对比 | ||||||||||
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AOD482 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 32A 100W 37mΩ@10A,10V -55℃~175℃ |
￥3.036
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218 | 对比 | ||||||||||
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BUK7240-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7240-100A_SOT428 N-Channel 114W -55°C~175°C ±20V 100V 34A |
￥7.9179
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0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR3411 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
44mΩ 100V DPAK (TO-252) N-Channel 20V 32A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOD2916 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 25A 50W 34mΩ@10A,10V -55℃~175℃ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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