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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 250pF @ 25V | |
| 封装/外壳 | CPT3 | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 4A(Tc) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | |
| 功率耗散(最大值) | 20W(Tc) | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 980 毫欧 @ 1.5A,10V |
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高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.4298
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1,649 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IPD80R1K2P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD80R1K2P7ATMA1_DPAK (TO-252) 4.5A N-Channel 800V -55°C~150°C 2.5V,3.5V 1200mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
