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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-247N-3 | |
| 通道数量 | 1 Channel | |
| 漏源极电压Vds | 1.2KV | |
| 连续漏极电流Id | 24A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 137mΩ | |
| 栅极电压Vgs | -4V,to22V | |
| Qg-栅极电荷 | 51 nC | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1 + | ￥154.6217 |
| 5 + | ￥103.145 |
| 10 + | ￥96.7056 |
| 30 + | ￥92.4223 |
| 50 + | ￥91.5599 |
| 60 + | ￥91.3491 |
| 100 + | ￥90.9179 |
| 200 + | ￥90.5921 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量： 1 | 倍数：1 |
生产年份 : 2021 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV1Q12080T4Z | 11,844 |
| IV1Q06040T3 | 3,162 |
| IV1Q12050T3 | 1,834 |
| IV3Q12035T4Z | 677 |
| IV2Q12080T4Z | 563 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3105KLGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N-3 1.2KV 24A 137mΩ -4V,to22V -55°C~175°C |
￥154.6217
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400 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 480 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥168.1616
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180 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥168.1616
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7 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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