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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SIC MOSFET | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 18V | |
| 技术 | SiCFET(碳化硅) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 574pF @ 800V | |
| 封装/外壳 | TO-247N | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 24A(Tc) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5.6V @ 3.81mA | |
| 功率耗散(最大值) | 134W | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 51nC @ 18V | |
| Vgs(最大值) | +22V,-4V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 137 毫欧 @ 7.6A,18V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV3Q12035T4Z | 557 |
| IV2Q171R0T3 | 530 |
| IV3Q12013T4Z | 522 |
| IV2Q12030T4Z | 441 |
| IV1Q12080T4Z | 398 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
TO-247N |
￥160.0357
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180 | 当前型号 | ||||||||||
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SCT3105KLGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
TO-247N-3 |
￥117.9977
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450 | 对比 | ||||||||||
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SCT3105KLGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
TO-247N-3 |
￥117.9977
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400 | 对比 | ||||||||||
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SCT3105KLGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
TO-247N-3 |
￥117.9977
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170 | 对比 | ||||||||||
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SCT3105KLGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
TO-247N-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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