| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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数据手册 |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 14 | 当前型号 | |||||||||||||
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数据手册 |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥3.388
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23,518 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 40V |
￥7.876
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14,704 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V |
￥3.388
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1,897 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V |
暂无价格 | 52 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V |
￥3.707
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45 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.4mΩ@90A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 连续漏极电流Id | 100A |
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高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 243,000 |
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
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