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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 700pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 功率 | 20W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 133 毫欧 @ 5A,10V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 70 + | ￥2.2423 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3周-4周
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| 起订量： 70 | 倍数：1 |
生产年份 : 2013 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GD32E225KBU6 | 1,966 |
| M39029/32-259 | 1,234 |
| ESD2CANFD24T2Q-F2-0000HF | 429 |
| PS2561DL-1Y-A | 413 |
| D25S24A4GV00LF | 398 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RSD100N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥2.2423
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90 | 当前型号 | |||||||||||||||
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RD3P100SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥7.9151
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2,388 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3P100SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥7.9151
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1,068 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
￥1.1633
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283 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3P100SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||||||||
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AUIRLR3410TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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