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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 20A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W | |
| Qg-栅极电荷 | 16.8nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | |
| 上升时间 | 7.2ns | |
| 下降时间 | 8.4ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 34.7ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13.2ns | |
| 封装/外壳 | HSOP-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 正向跨导 - 最小值 | 18S | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS1E200GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP-8 |
暂无价格 | 53 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRFHM830TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PQFN(3x3) |
￥2.992
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4,000 | 对比 | ||||||||||||
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CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥2.8788
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35 | 对比 | ||||||||||||
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IRFHM830TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSC883N03LS G | Infineon | 功率MOSFET |
BSC883N03LSGATMA1_5.9mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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BSC050N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC050N03LS G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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