| 制造商编号 | MT47H128M8SH-25E IT:M |
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| 制 造 商 | Micron(美光科技) |
| 唯样编号 | A33-MT47H128M8SH-25E IT:M-0 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
60-TFBGA
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 异步动态随机存储器(DRAM) | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | DRAM | |
| 时钟频率 | 400MHz | |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | |
| 访问时间 | 400ps | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 电压 - 电源 | 1.7 V ~ 1.9 V | |
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C(TC) | |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA | |
| 存储容量 | 1 Gbit | |
| 数据总线宽度 | 8 bit | |
| 最大时钟频率 | 800 MHz | |
| 电源电压-最大 | 1.9 V | |
| 电源电压-最小 | 1.7 V | |
| 电源电流—最大值 | 95 mA | |
| 系列 | MT47H | |
| 组织 | 128 M x 8 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 2 + | ￥98.5742 |
| 5 + | ￥53.2015 |
| 10 + | ￥47.5288 |
| 30 + | ￥43.7437 |
| 50 + | ￥42.9963 |
| 60 + | ￥42.8046 |
| 100 + | ￥42.4213 |
| 200 + | ￥42.1434 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
超低噪声、低输入电压、高电源抑制比 (PSRR) 和低压差线性稳压器
采用先进合金材料，1mΩ超低阻值与5W高功率特性相结合
抗噪声 RS-485/RS-422 全双工/半双工收发器，能够运用在恶劣的工业环境中
高性能6轴运动跟踪IMU，集成了3轴MEMS陀螺仪和3轴MEMS加速度计
汽车级可编程霍尔效应数字传感器，专为严苛环境下的高性能应用设计
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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MT47H128M8SH-25E IT:M | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
60-TFBGA |
￥98.5742
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1,518 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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MT47H128M8SH-25E:M | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
60-TFBGA |
￥15.323
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20 | 对比 | ||||||||||||||||||
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MT47H64M16NF-25E IT:M | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
84-TFBGA |
暂无价格 | 3 | 对比 | ||||||||||||||||||
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MT47H64M16NF-25E IT:M | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
84-TFBGA |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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MT47H64M16NF-25E IT:M | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
84-TFBGA |
￥16.4491
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0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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MT47H128M8SH-25E:M | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
60-TFBGA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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