| 制造商编号 | MT48LC16M16A2P-6A:G |
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| 制 造 商 | Micron(美光科技) |
| 唯样编号 | A33-MT48LC16M16A2P-6A:G |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Micron MT48LC16M16A2P-6A:G 256mb SDRAM, 16M x 16 位, 3 → 3.6 V电源, 54引脚 TSOP封装
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 异步动态随机存储器(DRAM) | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | DRAM | |
| 时钟频率 | 167MHz | |
| 写周期时间 - 字，页 | 12ns | |
| 访问时间 | 5.4ns | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V | |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) | |
| 封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | |
| 存储器大小 | 256MB | |
| 位址总线宽 | 15Bit | |
| 最长随机存取时间 | 6ns | |
| 字组数目 | 16M | |
| 引脚数目 | 54 | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 长度 | 22.22mm | |
| 最小工作电源电压 | 3 V | |
| 宽度 | 10.16mm | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 存储容量 | 256 Mbit | |
| 数据总线宽度 | 16 bit | |
| 最大时钟频率 | 167 MHz | |
| 电源电压-最大 | 3.6 V | |
| 电源电压-最小 | 3 V | |
| 电源电流—最大值 | 135 mA | |
| 系列 | MT48LC | |
| 组织 | 16 M x 16 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
针对高电压、大功率应用场景设计，典型产品覆盖电压范围大于400V
先进G3 SiC技术，优异的开关性能与高温稳定性
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
小型动态无卤连接器，包含头部、插座和端子三类组件,符合多项国际标准
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MT48LC16M16A2P-6A:G | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
￥92.5565
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739 | 当前型号 | ||||||||||||
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IS42S16160G-7TLI-TR | ISSI | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
54-TSOP II |
暂无价格 | 1,500 | 对比 | ||||||||||||
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IS42S16160J-7TLI | ISSI | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
54-TSOP II |
￥18.183
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3 | 对比 | ||||||||||||
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IS42S16160J-7TLI | ISSI | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
54-TSOP II |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IS42S16160J-7TLI | ISSI | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
54-TSOP II |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IS42S16160G-7TLI-TR | ISSI | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
54-TSOP II |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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