| 制造商编号 | IRLB4030PBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A33-IRLB4030PBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 87 nC 370 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±16V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 370W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3mΩ@110A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 180A | |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLB4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB |
暂无价格 | 2 | 当前型号 | ||||||||||
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AOT292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
￥12.2449
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
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|
AOT284L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
￥11.4286
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196 | 对比 | ||||||||||
|
STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥8.47
|
75 | 对比 | ||||||||||
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|
STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
PSMN027-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN027-100PS_SOT78 |
￥6.832
|
0 | 对比 |
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