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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 栅极驱动器 | |
驱动配置 | 低压侧 | |
FET类型 | 独立式 | |
驱动器数 | 2 | |
栅极类型 | N 沟道,P 沟道 MOSFET | |
电压 - 电源 | 4.5 V ~ 15 V | |
逻辑电压 - VIL,VIH | 1V,2V | |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A | |
输入类型 | 非反相 | |
上升/下降时间(典型值) | 20ns,15ns | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | 8-SOIC |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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1+ | ¥1.3599 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 7天-14天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产日期 : 1119
低损耗,极低的电容值(低至0.05pF)和极严格的电容公差(±0.02pF~±1pF)
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器,用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
频率范围广泛,不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C,极快反向恢复能力
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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HIP4082IBZT | 434 |
IVCR1407ASR | 336 |