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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | STripFET™ II | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 233nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5200pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 312W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.5m Ohms@60A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 110A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1 + | ￥23.8471 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 08+
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
￥23.8471
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2 | 当前型号 | ||||||||
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PSMN009-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN009-100B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 100V 75A |
￥11.8159
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0 | 对比 | ||||||||
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BUK7610-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7610-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 110A |
￥29.6007
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0 | 对比 | ||||||||
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IPB80N03S4L-03 | Infineon | 功率MOSFET |
IPB80N03S4L03ATMA1_30V 80A 2mΩ 16V 136W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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IPB083N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB083N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BUK9610-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK9610-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 100V 75A |
￥26.0118
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0 | 对比 |
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