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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.4nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 285pF @ 10V | |
栅极电压Vgs | 12V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 54m Ohms@3.5A,4.5V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TSMT | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 3.5A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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1 + | ¥1.4393 |
25 + | ¥1.2409 |
整包(请按100的倍数下单) |
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100 + | ¥1.0697 |
1,000 + | ¥0.957 |
3,000 + | ¥0.825 |
6,000 + | ¥0.759 |
12,000 + | ¥0.6982 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 7天-14天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产日期 : 2038
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 111,000 |
LN4501LT1G | 45,000 |
LP4101LT1G | 30,200 |
PXN012-60QLJ | 18,390 |
S-LN2306ELT1G | 18,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
¥1.4393
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15,000 | 当前型号 | |||||||||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
¥0.5921
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9,192 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55℃~150℃ |
¥0.8613
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5,995 | 对比 | ||||||||||||||||
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ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.7A(Ta) |
¥1.7424
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5,045 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.12W(Ta) ±20V SOT-26 -55℃~150℃(TJ) 30V 5.3A(Ta) |
¥0.7139
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55℃~150℃ |
¥1.5385
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2,979 | 对比 |