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通用MOSFET   TO-252-3

特惠

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制造商编号 R6007JND3TL1
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A32-R6007JND3TL1
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:7A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:7V@1mA Pd-功率耗散(Max):96W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 7A(Tc)
FET类型 N-Channel
Vgs(最大值) ±30V
RdsOn(Max)@Id,Vgs 780mOhms@3.5A,15V
栅极电压Vgs 7V@1mA
栅极电荷Qg 17.5nC@15V
Pd-功率耗散(Max) 96W(Tc)
封装/外壳 TO-252-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 600V
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1+ ¥7.2106
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若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:2,500 
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生产日期  :  1907

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