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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用二极管 | |
| FET类型 | 标准 | |
| 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 结电容Cj | 3pF @ 0.5V,1MHz | |
| 工作温度-结 | 125°C(最大) | |
| 正向电流If | 100 mA | |
| 反向漏电流Ir | 0.1uA | |
| 正向电压Vf | 1.2V | |
| 宽度 | 0.80mm | |
| 反向电压Vr | 80V | |
| 反向恢复时间trr | 4 ns | |
| 正向浪涌电流Ifsm | 225 mA | |
| 系列 | 1SS400 | |
| 配置 | Single | |
| 长度 | 1.2mm | |
| 高度 | 0.6mm |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
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最小包：3,000
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生产日期 : 1105
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| BAS16GWJ | 10,000 |
| BAS16LD,315 | 10,000 |
| BAS116,215 | 6,000 |
| BAS21H,115 | 3,100 |
| BAS116GWX | 3,000 |
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