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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 8.8A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24nC @ 5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1604pF @ 15V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20m Ohms@8.8A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 8.8 A | |
| 漏源极电压Vds | 30 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.035 0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 封装/外壳 | SOIC | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | |
| 正向跨导 | 24S | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 封装/外壳 | 4.9*3.9*1.57mm | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 1604 pF @ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 高度 | 1.57mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 04+
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PXN012-60QLJ | 21,000 |
| CQD50N06 | 20,000 |
| PMLL4148L,115 | 20,000 |
| 100N03A | 12,500 |
| LN2308LT1G | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm |
￥0.556
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180 | 当前型号 | |||||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
￥2.541
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19,133 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥1.177
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5,571 | 对比 | ||||||||||||
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IRF9393TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
5mm |
￥1.628
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4,612 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥1.5385
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2,667 | 对比 |
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