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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 通用三极管 | |
| 类型 | 车规 | |
| 晶体管类型 | P-Channel | |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 600mA | |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 150V | |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA,50mA | |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA(ICBO) | |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 60 @ 10mA,5V | |
| Power-Max | 350mW | |
| 频率-跃迁 | 300MHz | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 最大直流集电极电流 | 600 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 150 V | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| 功率 | 7/20W | |
| 最小直流电流增益 | 50 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -160 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 300 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.5 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1 V | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 封装/外壳 | 2.9*1.3*0.96mm | |
| 高度 | 0.96mm |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：100
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| 起订量：1 | 倍数：1 |
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