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功率MOSFET   TO-220 TO-220-3

特惠

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制造商编号 FQP4N90C
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A32-FQP4N90C
供货
无铅情况/RoHs
描述
栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2 Ohms@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 QFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 960pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2 Ohms@2A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 900V
连续漏极电流Id 4A
连续漏极电流Id 4A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 960pF @ 25V
功率 140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2 欧姆 @ 2A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
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库存 :  23

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥1.6786
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:1,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 7天-14天
起订量:1 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  1040

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