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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6000pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 310W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9m Ohms@80A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220AB | |
| 连续漏极电流Id | 12A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 12A(Ta),80A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6000pF @ 25V | |
| 功率 | 310W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9 毫欧 @ 80A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 1709
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDP3632 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-220-3 |
￥6.6764
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25 | 当前型号 | |||||||
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PSMN012-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN012-80PS_SOT78 N-Channel 148W 175℃ 3V 80V 74A |
￥7.9549
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0 | 对比 | ||||||
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IRFB4410Z | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
9mΩ 100V TO-220 N-Channel 20V 97A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 108A(Tc) ±20V 2.4W(Ta),166W(Tc) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN9R5-100PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A |
￥11.0802
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0 | 对比 |
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