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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 40A | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 封装/外壳 | HSMT8 | |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.6mΩ@40A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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BSZ440N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ440N10NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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BSZ440N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ440N10NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8 |
￥5.0212
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8,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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BSZ150N10LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ150N10LS3GATMA1_3.3mm |
￥7.8576
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5,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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BSZ340N08NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ340N08NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8 |
￥3.0377
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4,780 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
￥10.1103
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100 | 对比 |
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