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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 95A | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 封装/外壳 | HSMT8 | |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.6mΩ@40A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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BSZ097N04LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ097N04LSGATMA1_-55°C~150°C(TJ) 40V 40A 14.2mΩ 10V 35W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ034N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ034N04LSATMA1_40V 40A 2.7mΩ 20V 52W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ063N04LS6 | Infineon | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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NTTFS5811NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTTFS5C454NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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