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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 31A(Tc) | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 104 毫欧 @ 10A,18V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 5mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 18V | |
| Vgs（最大值） | +22V,-4V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 785pF @ 800V | |
| 功率耗散（最大值） | 165W | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：240
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV1Q06040T3 | 1,755 |
| CRXQ25M065G1 | 1,127 |
| IMZA65R027M1H | 695 |
| IV2Q06025T4Z | 495 |
| IV2Q06040T4Z | 446 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3080KRC14 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
暂无价格 | 350 | 当前型号 | ||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥168.152
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450 | 对比 | ||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥168.152
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369 | 对比 | ||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
暂无价格 | 359 | 对比 | ||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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