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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.4mΩ@90A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150℃ | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 连续漏极电流Id | 100A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRF7842 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7469 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥9.284
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19,917 | 对比 | ||||||||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.15mm SOIC-8 |
￥3.641
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18,465 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7842TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
￥4.532
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5,908 | 对比 |
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