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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SIC MOSFET | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 18V | |
| 技术 | SiCFET(碳化硅) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1526pF @ 500V | |
| 封装/外壳 | TO-247N | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 70A(Tc) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5.6V @ 13.3mA | |
| 功率耗散(最大值) | 262W | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 104nC @ 18V | |
| Vgs(最大值) | +22V,-4V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 39 毫欧 @ 27A,18V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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交期： 3天-15天 |
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV3Q12035T4Z | 557 |
| IV2Q171R0T3 | 530 |
| IV3Q12013T4Z | 522 |
| IV2Q12030T4Z | 441 |
| IV1Q12080T4Z | 398 |
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