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功率MOSFET   HSOP8(Single)

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RS6P100BHTB1
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RS6P100BHTB1
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 100A
漏源极电压Vds 100V
封装/外壳 HSOP8 (Single)
Pd-功率耗散(Max) 104W
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V
栅极电压Vgs ±20V
工作温度 -55℃~150℃
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库存 :  97

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥19.6519
100+ ¥9.8259
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:2,500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-5天
起订量:1 倍数:1

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制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN

暂无价格 5,000 对比
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN

¥21.3688 

阶梯数 价格
8: ¥21.3688
10: ¥16.386
50: ¥16.1081
100: ¥15.3319
500: ¥15.1402
1,000: ¥14.9486
4,847 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥68.6675 

阶梯数 价格
3: ¥68.6675
10: ¥15.6481
50: ¥11.7193
100: ¥10.9336
500: ¥10.349
1,000: ¥9.9562
2,000: ¥9.8795
2,100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
BSC035N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC035N10NS5_8-PowerTDFN

¥9.636 

阶梯数 价格
6: ¥9.636
100: ¥8.382
100 对比
+1

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